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Datos del producto:
Pago y Envío Términos:
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| Nombre de la producción: | Granate substituido del galio del gadolinio | Parámetro de Lattic: | a=12.497Å |
|---|---|---|---|
| método del crecimiento: | Método de la CZ | Estructura cristalina: | Cúbico |
| Densidad: | 7.09g/cm3 | Dureza de Mohs: | 7,5 |
| Punto de fusión: | 1730℃ | Índice de refracción: | 1,954 en 1064nm |
| Alta luz: | Diámetro 40m m SGGG solo Crystal Wafer,SGGG solo Crystal Wafer,oblea del solo cristal SGGG |
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Solas Crystal Wafer For Epitaxial Thin películas del diámetro 40m m SGGG
Introducción:
El solo cristal de SGGG, (substituyó el granate del galio del gadolinio) es crecido por el método de Czochralski. El substrato de SGGG es excelente para crecer las películas epitaxiales bismuto-substituidas del granate de hierro.
Ventajas principales:
Propiedades principales:
| Nombre | GGG substituido |
| Crystal Structure | Cúbico |
| Parámetro del enrejado | a=12.497Å |
| Método del crecimiento | Czochralski |
| Densidad | 7.09g/cm3 |
| Dureza de Mohs | 7,5 |
| Punto de fusión | 1730℃ |
| Índice de refracción | 1,954 en 1064nm |
CRYSTRO ofrece:
| Tamaño | MAX Dia 4 pulgadas |
| Grueso | 0.5mm/1m m |
| Polaco | Lado simple o doble |
| Orientación | <111>±0.2° |
| Exactitud de la orientación del borde | 2° (especial en 1°) |
| Corte | El tamaño y la orientación especiales están disponibles a petición |
| Ra | ≤1nm |
| Paquete | 100 bolso limpio, bolso limpio 1000 |
Persona de Contacto: Zheng
Teléfono: +86 18255496761
Fax: 86-551-63840588
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