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Substrato Sapphire Wafer Al 2O3 solo Crystal Substrate de la película fina

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Certificación

China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. certificaciones

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Substrato Sapphire Wafer Al 2O3 solo Crystal Substrate de la película fina

Name: Substrato Sapphire Wafer Al 2O3 solo Crystal Substrate de la película fina
Brand: Crystro
SKU: CRALO-1
Rating: 5 (151 reviews)

Ampliación de imagen : Substrato Sapphire Wafer Al 2O3 solo Crystal Substrate de la película fina

Datos del producto:

Lugar de origen:	CHINA
Nombre de la marca:	Crystro
Certificación:	SGS
Número de modelo:	CRALO-1

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1 pedazo
Precio:	Negotiable
Detalles de empaquetado:	Caja limpia transparente
Tiempo de entrega:	3-4 semanas
Condiciones de pago:	T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:	100 PC por semana

Contacto

Descripción detallada del producto

Nombre de producto:	Óxido de aluminio	Fórmula química:	Al2O3
Densidad:	3,97 g/cm3	Dureza:	9 Mohs
Parámetros del enrejado:	= 4,758 Å c =12.99 Å	Coeficiente de la extensión termal (/℃):	7,5 × 10^-6
Constantes dieléctricas:	9,4 @300K en un eje -11.58@ 300K en Caxis	Estructura cristalina:	M6
Alta luz:	Al2O3 Sapphire Wafer , Sapphire Substrate Wafer , Al2O3 solo Crystal Substrate

Óxido de aluminio del substrato de la película fina Al2O3 solo Crystal Substrate Sapphire Wafer

Introducción:

Al2O3 (óxido de aluminio) es un substrato superconductor excelente de la película fina. Este material tiene muchas ventajas: buena termo-estabilidad,

alta conductividad termal, y alta dureza. También podría ser utilizado en muchos otros campos como industrial, defensa y seguridad e investigación científica.

**Usos:**

materiales del substrato para la película da alta temperatura de la superconductividad: Y-series, La-series

un substrato para crecer la película de la superconductividad de MgB2

**Parámetros técnicos**
Crystal Structure	M6	Punto de fusión	2040℃
Densidad	3,98 g/cm3	Polaco	Solo lado/lado doble pulido
Dureza	9,0 (Mohs)	Cambio de dirección el borde	2° (especial en 1°)
Parámetros del enrejado	= 4,758 Å c =12.99 Å	Ra	≤5Å (los 5µm×5µm)
Orientación	Uno-avión <11-20> M-avión <10-10> R-avión<1-102> C-avión <0001>	Tamaño	550.5m m 10100.5m m

Substrato Sapphire Wafer Al 2O3 solo Crystal Substrate de la película fina 0

etiqueta:

Persona de Contacto: Chen Dongdong

Teléfono: +86 18326013523

Fax: 86-551-63840588

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