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Interruptor óptico del EO Q del alto de daño del umbral LGS Pockels electro de la célula

Certificación
China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. certificaciones
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Interruptor óptico del EO Q del alto de daño del umbral LGS Pockels electro de la célula

Interruptor óptico del EO Q del alto de daño del umbral LGS Pockels electro de la célula
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Ampliación de imagen :  Interruptor óptico del EO Q del alto de daño del umbral LGS Pockels electro de la célula

Datos del producto:
Lugar de origen: CHINA
Nombre de la marca: Crystro
Certificación: SGS
Número de modelo: CRQSW-2
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Precio: Negotiable
Detalles de empaquetado: CAJA DEL CARTÓN
Tiempo de entrega: 3-4 semanas
Condiciones de pago: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Capacidad de la fuente: 100 PC por semana
Descripción detallada del producto
NOMBRE: Q-interruptor de LGS Fórmula química: La3Ga5SiQ14
Densidad: 5,75 g/cm3 Punto de fusión: °C 1470
Índice de refracción: 1,89 Delicuescencia: No
Resistencia: 1.7×1010 Ω·cm Estructura cristalina: Trigonal; a=b=7.453Å, c=6.293Å
Gama de la transparencia: 242 - 3200 nanómetro Coeficientes electrópticos: γ41=1.8 pm/V, γ11=2.3 pm/V
Alta luz:

Electro interruptor óptico del EO Q

,

Electro Q interruptor óptico de LGS

,

Interruptor de LGS EO Q


 

 

Alta célula de Pockels del Q-interruptor del umbral de daño LGS Crystal Series Electro-Optic EO

 

Introducción:

La célula electróptica de Pockels del Q-interruptor de la serie de LGS (EO) es una nueva clase de Q-interruptor del EO, que se diseña por medio de un cristal La3Ga5SiQ14 (LGS). El cristal de LGS es una clase ópticamente de material con un umbral de daño muy alto (cerca de 9 veces como el de LN), coeficiente excelente del E-O, estabilidad da alta temperatura que el Q-interruptor de la serie de LGS (LG-EO-Q) (célula de Pockels) es un dispositivo electróptico práctico que se puede utilizar en lasers medios de la energía de la salida para tomar parcialmente el lugar de DKDP, Q-interruptores de la serie de RTPand LiNb03.

 

 

Características:

  • Para las longitudes de onda los hasta 3.2μm;
  • Distorsión transmitida del frente de onda: < l="">
  • Umbral de daño: >900MW/cm2 (@1064nm, 10ns);
  • LGS disponible para los sistemas eléctricos medios, ocurrir parcialmente de DKDP y de LiNbOQ-interruptores de3 series.

 

Propiedades principales:

 

Fórmula química La3Ga5SiQ14
Crystal Structure Trigonal; a=b=7.453Å, c=6.293Å
Densidad 5,75 g/cm3
Punto de fusión °C 1470
Gama de la transparencia 242 - 3200 nanómetro
Índice de refracción 1,89
Coeficientes electrópticos γ41=1.8 pm/V, γ11=2.3 pm/V
Resistencia 1.7×1010 Ω·cm
Delicuescencia No
Coeficientes de la extensión termal α11=5.15×10-6 /K (⊥Z-AXIS); α33=3.65×10-6 /K (∥Z-AXIS)

 

Detalles del producto:

Interruptor óptico del EO Q del alto de daño del umbral LGS Pockels electro de la célula 0

 

Contacto
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

Persona de Contacto: Chen Dongdong

Teléfono: +86 18326013523

Fax: 86-551-63840588

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