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Interruptor óptico del EO Q de la célula de los sistemas Pockels del laser electro

Certificación
China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. certificaciones
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Interruptor óptico del EO Q de la célula de los sistemas Pockels del laser electro

Interruptor óptico del EO Q de la célula de los sistemas Pockels del laser electro
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Ampliación de imagen :  Interruptor óptico del EO Q de la célula de los sistemas Pockels del laser electro

Datos del producto:
Lugar de origen: CHINA
Nombre de la marca: Crystro
Certificación: SGS
Número de modelo: CRQSW-9
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Precio: Negotiable
Detalles de empaquetado: Caja limpia transparente
Tiempo de entrega: 3-4 semanas
Condiciones de pago: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Capacidad de la fuente: 100 PC por semana
Descripción detallada del producto
Nombre de producto: Q-interruptor de LGS EO Crystal Material: Langasite
Densidad: 5,75 g/cm3 Punto de fusión: °C 1470
Índice de refracción: 1,89 Delicuescencia: No
Resistencia: 1.7×1010 Ω·cm estructura: Trigonal; a=b=7.453Å, c=6.293Å
Alta luz:

Electro interruptor óptico del EO Q

,

Interruptor del EO Q de la célula de Pockels

,

Interruptor de la célula Q de Pockel


 

 

 

 

Alta célula electróptica de Pockels del Q-interruptor del umbral de daño (EO) para los sistemas del laser

 

 

 

 

El cristal de LGS tiene una amplia gama de usos: Además del efecto piezoeléctrico y del efecto de la rotación óptica, su funcionamiento electróptico del efecto es también muy superior. La alta tarifa de la repetición, la abertura clara seccionada transversalmente grande, la anchura de pulso estrecha, el poder más elevado, la temperatura del cielo y tierra, los interruptores electrópticos cristalinos del etc. LGS Q son aplicables. Utilizamos el coeficiente electróptico γ11 del cristal de LGS para hacer los Q-interruptores y para elegir una relación de aspecto más grande para reducir el voltaje de media-onda de Q-interruptores. Puede ser aplicado a la Q-transferencia electróptica de los lasers del todo-sólido-estado con tarifas de la repetición de la mayor potencia.

 

 

Características:

  • LGS - Q-interruptor basado (célula de Pockels);
  • Para las longitudes de onda los hasta 3.2μm;
  • Distorsión transmitida del frente de onda: < l="">
  • Umbral de daño: >900MW/cm2 (@1064nm, 10ns, típicos, no garantizado);
  • LGS disponible para los sistemas eléctricos medios, ocurrir parcialmente de DKDP y de LiNbOQ-interruptores de3 series.

 

Propiedades principales:

 

Fórmula química La3Ga5SiQ14
Crystal Structure Trigonal; a=b=7.453Å, c=6.293Å
Densidad 5,75 g/cm3
Punto de fusión °C 1470
Gama de la transparencia 242 - 3200 nanómetro
Índice de refracción 1,89
Coeficientes electrópticos γ41=1.8 pm/V, γ11=2.3 pm/V
Resistencia 1.7×1010 Ω·cm
Delicuescencia No
Coeficientes de la extensión termal α11=5.15×10-6 /K (⊥Z-AXIS); α33=3.65×10-6 /K (∥Z-AXIS)

 

 

Detalles del producto:

Interruptor óptico del EO Q de la célula de los sistemas Pockels del laser electro 0

Contacto
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

Persona de Contacto: Zheng

Teléfono: +86 18255496761

Fax: 86-551-63840588

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